[发明专利]一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法

权利要求书

1.一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一SOI片，并对该SOI片的表面进行清洗，得到待处理的SOI片；

步骤S2：在所述SOI片的表面生长一层氧化层；

步骤S3：对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成扩散阻挡层；

步骤S4：对所述SOI片进行液态磷扩散掺杂；

步骤S5：去除所述SOI片表面上的磷硅玻璃和扩散阻挡层；

步骤S6：清洗SOI片表面，并在该SOI片表面淀积二氧化硅保护层；

步骤S7：对SOI片表面进行推结工艺得到液态磷的扩散深度，其中，所述推结工艺将所述SOI片表面上掺杂的液态磷向下推结至所述扩散深度；

步骤S8：去除SOI片表面的二氧化硅保护层。

2.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：所述待处理的SOI片的顶层硅厚度为0.5μm~4μm。

3.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S3中，扩散阻挡层的材料为SiO2，且该扩散阻挡层的厚度为200nm~400nm。

4.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S4中，进行液态磷扩散掺杂所采用的液态磷源为POCl3。

5.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S4中，液态磷的掺杂温度为800℃~1050℃，掺杂时间为10min~60min。

6.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S6中，淀积的二氧化硅保护层的厚度为150nm~300nm。

7.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S7中，所述推结工艺的推结温度为950℃~1100℃，推结时间为30min~100min。

8.根据权利要求1所述的一种用于SOI片的磷扩散掺杂方法，其特征在于：在所述步骤S5和步骤S8中，去除磷硅玻璃、扩散阻挡层和二氧化硅保护层所采用的腐蚀液为BOE腐蚀液。