[发明专利]VCSEL芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202010809941.5 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN111711073B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓;李春勇;舒凯;柯毛龙;徐化勇;冯欧 | 申请（专利权）人： | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括芯片主体，所述芯片主体上设有第一氧化圈和第二氧化圈，所述第一氧化圈和所述第二氧化圈在光场中的位置不同，当所述芯片主体的材料生长参数发生变化时，其中一个氧化圈与光场的耦合系数增强，另一个氧化圈与光场的耦合系数减弱，以使两个氧化圈与光场的总耦合系数保持恒定。本发明能够解决现有技术中，因氧化圈与光场发生相对移动，导致芯片参数和性能受影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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