[发明专利]VCSEL芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种VCSEL芯片，包括芯片主体，其特征在于，所述芯片主体包括从下到上依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层，所述芯片主体上设有第一氧化圈和第二氧化圈，所有的所述氧化圈均位于所述p型限制层和所述有源区之间，所述第一氧化圈和所述第二氧化圈在光场中的位置不同，当所述芯片主体的材料生长参数发生变化时，其中一个氧化圈与光场的耦合系数增强，另一个氧化圈与光场的耦合系数减弱，以使两个氧化圈与光场的总耦合系数保持恒定；

所述VCSEL芯片满足以下条件式：

其中，I(x)为光场的光场强度分布，[x1, x2]表示所述第一氧化圈的位置，[x3, x4]表示所述第二氧化圈的位置，C为两个氧化圈与光场的总耦合系数。

2.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述第一氧化圈和所述第二氧化圈之间设有若干个光场节点。

3.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述p型限制层的顶部设有上电极，所述n型限制层的底部设有下电极。

4.根据权利要求1所述的VCSEL芯片，其特征在于，所述芯片主体经刻蚀形成一台面，所述台面分布在所述n型限制层、所述有源区以及所述p型限制层上。

5.一种VCSEL芯片制造方法，其特征在于，所述VCSEL芯片为权利要求1-4任一项所述的VCSEL芯片，所述制造方法包括：

在衬底材料上外延生长形成芯片主体，所述芯片主体包括从下到上依次层叠的n型限制层、有源区以及p型限制层；

对所述芯片主体进行刻蚀，以在所述芯片主体上形成一台面；

在所述p型限制层和所述有源区之间氧化成型两个氧化圈；

在所述p型限制层的顶部成型上电极，并在所述n型限制层底部成型下电极。