[发明专利]一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法

摘要

本发明涉及光电子技术领域，公开了一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法。所述方法包括如下步骤：首先采用CVD法在生长衬底上制备出二维TMDs薄膜；接着在生长衬底上旋涂一层PI溶液并加热固化形成PI固体薄膜。将固化后的PI薄膜从生长衬底上撕下，二维TMDs薄膜与生长衬底分离并贴附在PI薄膜上；最后采用真空热蒸发镀膜法,在粘贴有二维TMDs薄膜的柔性PI基底上制备图形化的金属电极。本发明提出了一种制备柔性二维TMDs光电探测器的新方法，该方法简化了二维TMDs光电探测器制备过程中的二维TMDs材料转移工艺，保证了转移前后二维TMDs材料的完整性及均匀性，具有环境友好性。