[发明专利]一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法

权利要求书

1.一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）、采用CVD法生长出二维TMDs薄膜；

2）、将生长有二维TMDs薄膜的衬底放置在加热台上预热，加热台温度设定50~80 ℃，预热时间2~4 min；

3）、将PI溶液滴于生长衬底表面，将生长衬底放置在匀胶机上进行旋涂，匀胶机转速设定为1000~2000 rpm，时间为10~40s；

4）、将步骤3）所得生长衬底放置在真空加热台中固化，真空加热台温度设定为120~160℃，真空度10 pa，保温时间10~20 min，生长衬底表面会形成棕黄色的PI固体薄膜；

5）、用镊子将PI薄膜从生长衬底表面撕下，二维TMDs薄膜从生长衬底转移到柔性PI薄膜上；

6）、采用真空热蒸发镀膜法，以铜网为掩膜版在粘贴有二维TMDs薄膜的柔性PI衬底上制备图形化的金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种柔性二维TMDs光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤6）中以铜网为硬质掩膜版，所用的铜网肋宽为20~30 μm，在显微镜下将铜网覆盖在黏贴有TMDs薄膜的柔性PI衬底上，并用高温胶带将其四周紧贴于衬底表面，最后采用真空热蒸发镀膜工艺，在衬底表面依次蒸镀10 nm厚的金属Cr和50 nm厚的金属Au。