[发明专利]半导体功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010806477.4 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112397578A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 刘明焦 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/06;H01L29/868;H01L21/28;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“半导体功率器件及其制造方法”。本发明公开了一种器件，所述器件包括由未掺杂或轻掺杂半导体漂移区隔开的第一掺杂半导体区和第二相反掺杂的半导体区。所述器件还包括与所述第一掺杂半导体区形成欧姆接触的第一电极结构和与所述第二掺杂半导体区形成通用接触的第二电极结构。所述第二电极结构的所述通用接触允许电子和空穴两者流入和流出所述器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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