[发明专利]一种屏蔽栅沟槽式MOSFET在审
| 申请号： | 202010799734.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112103344A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 娜美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的SGT MOSFET，其具有围绕沟槽栅较低部分的超级结结构，以确保整个漂移区的完全耗尽、且击穿发生在相邻的沟槽栅中间、而不会在沟槽底部发生早期击穿。此外，击穿电压对沟槽底部氧化层的厚度以及沟槽深度的敏感性明显降低或不受其影响，器件的雪崩能力也得到了增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet | ||
【主权项】：
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