[发明专利]一种利用Locos生长氧化隔离层以及制备IGBT芯片的工艺在审
| 申请号： | 202010784138.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112086352A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 崔凯;李婷;戴豪 | 申请（专利权）人： | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 廖慧敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用Locos生长氧化隔离层以及制备IGBT芯片的工艺，包括热氧化层的形成：在晶圆中每个芯片表面覆盖形成氮化硅层，采用氧化工艺在氮化硅层以外的芯片边缘生长出热氧化层用于漏电隔离；热氧化层的厚度调节：采用研磨液对热氧化层进行研磨或采用刻蚀工艺对热氧化层进行刻蚀，使热氧化层达到预期厚度；去除氮化硅层，然后再进行晶圆全局平坦化处理。本发明的工艺能够有效避免晶圆芯片中心部分过抛或研磨不充分的问题，进而保证芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 locos 生长 氧化 隔离 以及 制备 igbt 芯片 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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