[发明专利]一种利用Locos生长氧化隔离层以及制备IGBT芯片的工艺在审
| 申请号： | 202010784138.0 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112086352A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 崔凯;李婷;戴豪 | 申请（专利权）人： | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 廖慧敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 locos 生长 氧化 隔离 以及 制备 igbt 芯片 工艺 | ||
1.一种利用Locos生长氧化隔离层的工艺，其特征在于，包括：
热氧化层的形成：在晶圆中每个芯片中心部位形成氮化硅层，采用氧化工艺在氮化硅层以外的芯片边缘生长出热氧化层；
热氧化层的厚度调节：采用研磨液对热氧化层进行研磨或采用刻蚀工艺对热氧化层进行刻蚀，使热氧化层达到预期厚度；
去除氮化硅层，然后再进行晶圆的氧化层以及多晶硅的生长，最后进行平坦化的处理。
2.根据权利要求1所述的利用Locos生长氧化隔离层的工艺，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为400～1600A。
3.根据权利要求1或2所述的利用Locos生长氧化隔离层的工艺，其特征在于，所述热氧化层的厚度调节的步骤中，研磨液为采用CeO2为研磨颗粒的研磨液，所述研磨时采用的研磨机构的转速为70～120rpm，研磨压力为2～4psi。
4.一种IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，包括：
热氧化层的形成：在晶圆中每个芯片中心部位形成氮化硅层，采用氧化工艺在氮化硅层以外的芯片边缘生长出热氧化层；
热氧化层的厚度调节：采用研磨液对热氧化层进行研磨或采用刻蚀工艺对热氧化层进行刻蚀，使其厚度达到预期厚度；
沟道的形成：去除氮化硅层后再采用刻蚀工艺在颗粒中心部位形成沟道；
填充层的生长：采用炉管工艺进行多晶硅的生长填充；
平坦化处理：研磨去除表层多余多晶硅即可。
5.根据权利要求4所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为800～1600A。
6.根据权利要求4或5所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，所述热氧化层的厚度调节的步骤中，研磨液为采用CeO2为研磨颗粒的研磨液，所述研磨时采用的研磨机构的转速为70～120rpm，研磨压力为2～4psi。
7.根据权利要求4-6任一所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，所述平坦化处理时，采用多晶硅研磨液，并利用多晶硅与SiO2高选择比的特性结合电机扭矩的终点检测方式去除多晶硅。
8.根据权利要求4-7任一所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，在采用多晶硅研磨液去除多晶硅后，还采用以SiO2为研磨颗粒的研磨液调节硅表面热氧化层的厚度。
9.根据权利要求8所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，采用以SiO2为研磨颗粒的研磨液将硅表面热氧化层的厚度调节至100～500A。
10.根据权利要求4-9任一所述的IGBT芯片的制备工艺，其特征在于，在热氧化层的厚度调节的步骤中，热氧化层的高度高于硅表面800～1800A。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
