[发明专利]一种基于PLC在金刚石生长系统中的控制方法有效
| 申请号: | 202010774584.3 | 申请日: | 2020-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN112126910B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
| 发明(设计)人: | 苗岱;牛进毅 | 申请(专利权)人: | 山西云矽电子科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/54;C23C16/52 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
| 地址: | 030000 山西省太原市小店区康宁街康宁大厦(山西国际*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种基于PLC在金刚石生长系统中的控制方法,包括:PLC控制器根据流程启动信号控制和真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行抽气控制流程;PLC控制器根据真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行工艺控制流程以进入金刚石生长流程;在金刚石生长流程中,PLC控制器根据从上位机获取的生长信息配方表,利用真空系统进行真空压力控制、利用耔晶载物盘系统进行生长位置控制、利用辉光系统进行辉光控制,同时利用工艺气体系统进行工艺气体控制;PLC控制器根据工艺停止信号和真空系统中元件的反馈信号对真空系统进行排气控制流程,使真空腔体内的压力恢复至常压。该方法在PLC的协同下实现了更安全更智能化的金刚石生长控制。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 plc 金刚石 生长 系统 中的 控制 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





