[发明专利]冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010766412.1 申请日: 2020-08-03
公开(公告)号: CN111960828A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 王庆虎;刘俊;李亚伟;桑绍柏;徐义彪;朱天彬;潘丽萍 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/597 分类号: C04B35/597;C04B35/622;C04B35/626;C30B15/10
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法。其技术方案是:将70~85质量份的氮氧化硅前驱体和15~30质量份的熔融石英粉体混合,在混合气氛和1400~1700℃条件下保温2~10h,冷却,研磨,制得氮氧化硅粉体;将50~100质量份的氮氧化硅粉体、0~50质量份的熔融石英粉体、0.3~1质量份的分散剂、0.1~2质量份的胶凝剂和30~70质量份的去离子水置入球磨罐中混合,再注入模具,在30~90℃水浴条件下保温0.5~3h,脱模,在80~110℃条件下烘干,于1100~1400℃条件下保温2~10h,制得冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚。本发明制备的所述复合陶瓷坩埚具有不开裂和与硅锭不粘连的特点,使用性能良好。
搜索关键词: 冶炼 光伏级硅用氮 氧化 石英 复合 陶瓷 坩埚 及其 制备 方法
【主权项】:
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