[发明专利]冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法在审
申请号: | 202010766412.1 | 申请日: | 2020-08-03 |
公开(公告)号: | CN111960828A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 王庆虎;刘俊;李亚伟;桑绍柏;徐义彪;朱天彬;潘丽萍 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/597 | 分类号: | C04B35/597;C04B35/622;C04B35/626;C30B15/10 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 冶炼 光伏级硅用氮 氧化 石英 复合 陶瓷 坩埚 及其 制备 方法 | ||
1.一种冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述制备方法的步骤是:
步骤一、将70~85质量份的氮氧化硅前驱体和15~30质量份的熔融石英粉体混合,在混合气氛和1400~1700℃条件下保温2~10h,自然冷却,研磨,制得氮氧化硅粉体;
步骤二、将50~100质量份的所述氮氧化硅粉体、0~50质量份的熔融石英粉体、0.3~1质量份的分散剂、0.1~2质量份的胶凝剂和30~70质量份的去离子水置入球磨罐中,混合16~24h,制得陶瓷料浆;
步骤三、将所述陶瓷料浆注入模具中,在30~90℃水浴条件下保温0.5~3h,脱模,制得复合陶瓷坯体;
步骤四、将所述复合陶瓷坯体于80~110℃条件下烘干,然后在空气或惰性气氛中,于1100~1400℃条件下保温2~10h,制得冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚。
2.如权利要求1所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述氮氧化硅前驱体为氮化硅、单质硅、全氢聚硅氮烷、氮氧化硅中的一种。
3.如权利要求1所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述混合气氛中的O∶N的体积比为1∶5~30。
4.如权利要求1所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述分散剂为乳酸、丙烯酸与2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸共聚物、聚丙烯酸铵中的一种。
5.如权利要求1所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述胶凝剂为淀粉、阿拉伯胶、明胶、异丁烯与马来酸酐共聚物中的一种。
6.如权利要求1所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述熔融石英粉体的SiO2≥99.9wt%;所述熔融石英粉体的平均粒径≤10μm。
7.如权利要求2所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述氮化硅为α-Si3N4或为β-Si3N4,所述氮化硅的Si3N4≥99wt%;所述氮化硅的平均粒径≤5μm。
8.如权利要求2所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述单质硅的Si≥99.99wt%;所述单质硅的平均粒径≤45μm。
9.如权利要求2所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述全氢聚硅氮烷的固含量≤20wt%。
10.如权利要求2所述的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法,其特征在于所述氮氧化硅的Si2N2O≥99wt%;所述氮氧化硅的平均粒径≤5μm。
11.一种冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚,其特征在于所述冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚是根据权利要求1~10中任一项所述冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚的制备方法所制备的冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010766412.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。