[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202010762648.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111799180B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 张恬意;谢岩;占迪 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供前端器件，前端器件包括介质层、嵌设于介质层中的金属层以及覆盖介质层的第一衬底，第一衬底为(110)晶面衬底，亦即【110】晶向。干法刻蚀去除部分厚度的第一衬底，形成第一开孔；湿法刻蚀所述第一开孔的侧壁和底部以暴露出介质层，形成第二开孔，在垂直于所述第一衬底的截面上，所述第二开孔位于所述第一衬底中的部分的截面形状为矩形。所述第一衬底为(110)晶面，湿法刻蚀具有各向异性，对(110)晶面的第一衬底做定向性腐蚀，形成几乎完全垂直侧壁的TSV(硅通孔)，即第二开孔C，解决TSV(硅通孔)刻蚀形貌较难控制的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
