[发明专利]压力传感器芯片及其制造方法和压力传感器在审
申请号: | 202010762237.9 | 申请日: | 2020-07-31 |
公开(公告)号: | CN111811696A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 陈碧亮 | 申请(专利权)人: | 杭州朝涌科技有限公司 |
主分类号: | G01L1/00 | 分类号: | G01L1/00;G01L19/00;G01L19/06;G01L19/14 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 王健 |
地址: | 310052 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种压力传感器芯片及其制造方法和压力传感器,所述压力传感器芯片包括主基板,所述主基板于第一面中心处设有扩散硅芯片,并于第二面设有电连接所述扩散硅芯片的基板芯片,所述基板芯片上设有接线点或接线引脚;还包括保护板,所述保护板附设于主基板的第一面上,并于中间部位设有对应扩散硅芯片的开孔,所述开孔内填充有包覆所述扩散硅芯片的保护胶层,以及填充于保护胶层外侧的缓冲胶层,所述缓冲胶层的外表面与所述保护板的外侧表面平齐。本发明的压力传感器芯片及压力传感器具有结构新颖、生产成本低、工业耐受性好、使用寿命长的优点。 | ||
搜索关键词: | 压力传感器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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