[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010757358.4 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112510011A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 饭岛纯;田上政由;北村政幸;若月启 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够抑制布线与插塞的反应的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备：第一基板；以及设于所述第一基板上的逻辑电路。所述装置还具备：多条布线，设于所述逻辑电路的上方，沿第一方向延伸，在与所述第一方向交叉的第二方向上相互隔开间隔而设置，并含有铜；以及第一绝缘膜，设于所述逻辑电路的上方且所述多条布线下。所述装置还具备：插塞，设于所述第一绝缘膜内，沿与所述第一及第二方向交叉的第三方向延伸，含有钨，并与作为所述多条布线中的一条布线的第一布线电连接；以及第二绝缘膜，设于所述第一绝缘膜与所述插塞之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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