[发明专利]电容阻挡层结构及阻挡层结构的制备方法有效
| 申请号： | 202010757293.3 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN111725402B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 冯秦旭;梁金娥;邢中豪 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种MIM电容阻挡层结构及阻挡层结构的制备方法。阻挡层结构包括：依次层叠的第一应力阻挡层和第二应力阻挡层，且所述第一应力阻挡层的应力值小于所述第二阻挡层的应力值。阻挡层结构的制备方法包括提供第一氮气流量制作第一应力阻挡层；提供第二氮气流量，制作与所述第一应力阻挡层依次层叠的第二应力阻挡层。介质层结构包括介电层，所述介电层包括相对的上表面和下表面，在所述介电层的上表面和下表面上分别形成上述用于MIM电容的阻挡层结构。本申请提供了的MIM电容阻挡层结构、介质层结构及阻挡层结构的制备方法，可以解决相关技术中因应力较大导致阻挡层发生剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 阻挡 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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