[发明专利]电容阻挡层结构及阻挡层结构的制备方法

权利要求书

1.一种用于MIM电容的阻挡层结构，其特征在于，所述用于MIM电容的阻挡层结构包括：依次层叠的第一应力阻挡层和第二应力阻挡层，且所述第一应力阻挡层的应力值小于所述第二应力阻挡层的应力值；MIM电容的介质层结构包括介电层，所述介电层包括相对的上表面和下表面，在所述介电层的上表面和下表面上分别形成所述用于MIM电容的阻挡层结构；位于所述介电层上表面的所述阻挡层结构，其第二应力阻挡层贴附在所述介电层的上表面；

位于所述介电层下表面的所述阻挡层结构，其第二应力阻挡层贴附在所述介电层的下表面。

2.如权利要求1所述的用于MIM电容的阻挡层结构，其特征在于，在所述第一应力阻挡层和第二应力阻挡层还形成有应力过渡层，所述应力过渡层的应力值在所述第一应力阻挡层的应力值和所述第二应力阻挡层的应力值之间。

3.如权利要求1所述的用于MIM电容的阻挡层结构，其特征在于，所述介电层的上下两侧分别设有邻接层；

所述邻接层粘接在对应所述阻挡层结构的第一应力阻挡层上。

4.一种用于MIM电容阻挡层结构的制作方法，其特征在于，所述用于MIM电容阻挡层结构的制作方法至少包括以下步骤：

提供第一氮气流量制作第一应力阻挡层；

提供第二氮气流量，制作与所述第一应力阻挡层依次层叠的第二应力阻挡层；

根据该第一氮气流量的流量值，制作所得的第一应力阻挡层的应力值，小于，根据该第二氮气流量的流量值，制作所得的第二应力阻挡层的应力值。

5.如权利要求4所述的用于MIM电容阻挡层结构的制作方法，其特征在于，所述第一氮气流量的流量值的范围为30～40sccm或90～100sccm。

6.如权利要求4所述的用于MIM电容阻挡层结构的制作方法，其特征在于，所述第二氮气流量的流量值的范围为60～70sccm。

7.如权利要求4所述的用于MIM电容阻挡层结构的制作方法，其特征在于，在所述提供第一氮气流量制作第一应力阻挡层步骤，和，所述提供第二氮气流量制作第二应力阻挡层的步骤之间，还进行：

提供第三氮气流量制作应力过渡层；所述应力过渡层位于所述第一应力阻挡层和所述第二应力阻挡层之间；所述第三氮气流量的流量值位于所述第一氮气流量的流量值，和，所述第二氮气流量的流量值之间。