[发明专利]掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材在审
| 申请号： | 202010755647.0 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114057470A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 雷雨;许积文;周志宏;肖世洪;周昭宇;杨永添 | 申请（专利权）人： | 广州市尤特新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;王淑梅 |
| 地址： | 510880 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材，其中，掺杂钼的氧化铟靶材制备方法包括：将靶材原料通过二段研磨，获取浆料；对浆料进行造粒，获取粒料；通过粒料制备获取掺杂钼的氧化铟靶材；其中，靶材原料包括氧化铟粉末和氧化钼粉末，其中，将靶材原料通过二段研磨，获取浆料的步骤，具体包括：通过球磨工艺处理靶材原料，获取一段浆料；通过砂磨工艺处理一段浆料，获取到中值粒径为0.1μm至0.32μm的浆料其中，球磨工艺的处理时长为12h至18h；球磨工艺中的物料浓度为40％至50％。靶材采用上述的靶材制备方法制备而成，该靶材致密度高，且成分分布均匀性好，用该靶材制备的透明导电薄膜有助于红外波段光的透射。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氧化 铟靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州市尤特新材料有限公司，未经广州市尤特新材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010755647.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
