[发明专利]掺杂钼的氧化铟靶材制备方法和掺杂钼的氧化铟靶材

权利要求书

1.一种掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，包括：

将靶材原料通过二段研磨，获取浆料；

对所述浆料进行造粒，获取粒料；

通过所述粒料制备获取所述掺杂钼的氧化铟靶材；

其中，所述靶材原料包括氧化铟粉末和氧化钼粉末。

2.根据权利要求1所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，所述将靶材原料通过二段研磨，获取浆料的步骤，具体包括：

通过球磨工艺处理所述靶材原料，获取一段浆料；

通过砂磨工艺处理所述一段浆料，获取到中值粒径为0.1μm至0.32μm的所述浆料。

3.根据权利要求2所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

所述球磨工艺的处理时长为12h至18h；

所述球磨工艺中的物料浓度为40％至50％。

4.根据权利要求2所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

所述砂磨工艺的处理次数为3至7次，每次时长为1.5h至2.5h；

所述砂磨工艺中的磨料为粒径为0.2mm至0.4mm的氧化锆陶瓷。

5.根据权利要求1所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，所述通过所述粒料制备获取所述掺杂钼的氧化铟靶材的步骤，具体包括：

将所述粒料放置在等静压模具内，通过冷等静压成型，获取素坯；

对所述素坯进行烧结，冷却后获取掺杂钼的氧化铟靶材。

6.根据权利要求5所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

对所述素坯进行烧结的烧结温度为1500℃至1570℃；

所述冷等静压的压力为250Mpa至300Mpa。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

所述氧化钼粉末的质量百分比为1.2至3.2。

8.根据权利要求7所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

所述氧化钼粉末中氧化钼的纯度大于99.99％，比表面积为10m²/g至15m²/g；

所述氧化铟粉末中氧化铟的纯度大于99.99％，比表面积为12m²/g至18m²/g。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法，其特征在于，

所述氧化钼粉末的中值粒径小于或等于0.35μm；

所述氧化铟粉末的中值粒径小于或等于0.56μm。

10.一种掺杂钼的氧化铟靶材，其特征在于，包括：

采用权利要求1至9中任一项所述的掺杂钼的氧化铟靶材制备方法制备而成。