[发明专利]电容器结构及其制作方法、存储器在审
| 申请号： | 202010752934.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN114068811A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 陆勇;吴公一;沈宏坤 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成柱状的第一导电结构；于所述衬底上形成第二导电结构，其中所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置，所述第一导电结构和所述第二导电结构共同构成下电极；形成电容介质层，所述电容介质层覆盖所述衬底和所述下电极的表面；形成覆盖所述电容介质层表面的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结构 及其 制作方法 存储器 | ||
【主权项】：
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