[发明专利]电容器结构及其制作方法、存储器

权利要求书

1.一种电容器结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

于所述衬底上形成柱状的第一导电结构；

于所述衬底上形成第二导电结构，其中所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置，所述第一导电结构和所述第二导电结构共同构成下电极；

形成电容介质层，所述电容介质层覆盖所述衬底和所述下电极的表面；

形成覆盖所述电容介质层表面的上电极。

2.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成第二导电结构，包括：

形成牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述第一导电结构的侧表面；

形成覆盖所述牺牲材料层侧表面的第二导电材料层；

去除位于所述第一导电结构侧表面上的所述牺牲材料层，保留的所述第二导电材料层作为所述第二导电结构。

3.如权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，利用湿法刻蚀工艺去除位于所述第一导电结构侧表面上的所述牺牲材料层。

4.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，采用多晶硅材料形成所述第一导电结构。

5.如权利要求1～4任一项所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述第二导电结构和所述上电极的制作材料为钛、氮化钛或钨中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述于所述衬底上形成柱状的第一导电结构，包括：

在所述衬底表面形成第一导电材料层；

在所述第一导电材料层上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层中具有定义所述第一导电结构的第一图形化目标图案；

以所述硬掩膜层为掩膜，对所述第一导电材料层进行刻蚀，形成若干柱状所述第一导电结构。

7.如权利要求2所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，在形成第一导电结构之前，还包括形成覆盖所述衬底表面的电容接触材料层的步骤；

在所述电容接触材料层上形成所述第一导电结构、所述牺牲材料层以及所述第二导电结构之后，对所述电容接触材料层进行刻蚀，直至暴露出所述衬底，保留的所述电容接触材料层形成电容接触垫，所述电容接触垫与所述第一导电结构位置与数量一一对应。

8.如权利要求1所述的电容器结构的制作方法，其特征在于，所述电容介质层采用介电常数大于7的介电材料制作。

9.一种电容器结构，其特征在于，包括：

衬底；

下电极，包括位于所述衬底表面的第一导电结构和第二导电结构，其中所述第一导电结构呈柱状，所述第二导电结构环绕所述第一导电结构，且与所述第一导电结构间隔设置；

电容介质层，位于所述衬底和所述下电极的表面；以及

上电极，位于所述电容介质层的表面。

10.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述第一导电结构呈圆柱状，所述第一导电结构的底面直径的尺寸为30nm～50nm。

11.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，还包括电容接触垫，所述电容接触垫位于所述衬底与所述下电极之间，所述下电极与所述电容接触垫电性连接。

12.如权利要求11所述的电容器结构，其特征在于，所述电容介质层还位于所述电容接触垫的侧表面以及相邻所述电容接触垫之间的区域。

13.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述下电极的顶部相对所述衬底的高度为500nm～800nm。

14.如权利要求9所述的电容器结构，其特征在于，所述电容介质层采用介电常数大于7的介电材料制作。

15.一种存储器，其特征在于，采用如权利要求9～14任一项所述的电容器结构。