[发明专利]一种各向异性材料与电介质构造双层周期结构的光学拓扑转换的分析方法在审
| 申请号： | 202010750689.5 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111950142A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 曾然;陈伟强;仲佼佼;徐思远;李浩珍;杨淑娜;胡淼;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/18;G06F113/26 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于量子光学技术领域，具体涉及一种各向异性材料与电介质构造双层周期结构的光学拓扑转换的分析方法，包括以下步骤：S1、建立各向异性材料与电介质构造的双层周期结构模型；S2、确定各向异性材料的电磁特性；S3、通过边界条件，确定边界电磁场；S4、计算两种材料层交界面处的传输矩阵；S5、利用Bloch定理计算周期结构的色散关系；S6、计算各向异性材料与电介质构造双层周期结构的光学拓扑转换。本发明的各向异性材料与电介质构造双层周期结构的光学拓扑转换的分析方法，能够准确地分析电各向异性材料与磁各向异性材料在双层周期结构中的光学拓扑换的差异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 各向异性 材料 电介质 构造 双层 周期 结构 光学 拓扑 转换 分析 方法 | ||
【主权项】：
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