[发明专利]一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极及其制备方法在审
| 申请号： | 202010750329.5 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111939467A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 齐殿鹏;赵秦艺;果崇申;钟正祥 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | A61N1/05 | 分类号： | A61N1/05 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极及其制备方法，属于神经生物材料技术领域。本发明为了解决现有入式神经电极易出现机械匹配度差、硬度过大、电阻较高等问题。本申请利用碱液对硅片进行湿法刻蚀，使硅片表面产生金字塔微结构，通过在硅片表面电镀一层聚吡咯薄膜使此薄膜也具有金字塔微结构，进一步增加薄膜的比表面积从而降低其阻抗。并且本申请将吡咯薄膜转移到绝缘玻璃片上后在此薄膜上生长微米棒，再镀第二层聚吡咯薄膜以固定微米棒，将此薄膜转移到PDMS基底上，此时微米棒嵌入PDMS中，有效避免电极的分层现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻抗 柔性 pdms 聚合物 植入 神经 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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