[发明专利]一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极及其制备方法

权利要求书

1.一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一，采用湿法刻蚀在硅片表面形成金字塔结构，刻蚀完成后使用蒸馏水超声清洗5min～10min；

步骤二，在步骤一处理后的硅片上旋涂光刻胶，并进行光刻；

步骤三，在光刻后的硅片上采用电镀法电镀聚吡咯薄膜；

步骤四，将聚吡咯薄膜从硅片上剥落，使用去离子水和乙醇分别冲洗3～4次，转移到绝缘玻璃上，然后采用循环伏安法在聚吡咯薄膜上合成聚吡咯微米棒；

步骤五，再采用电镀法电镀一层聚吡咯薄膜以固定微米棒，完成电极制备，此步骤电镀条件及参数设定与步骤三中电镀条件及参数设定相同；

步骤六，采用盖印法将制备完成的电极转移至PDMS基聚合物基底上，获得植入式神经电极。

2.根据权利要求1所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤一中湿法刻蚀硅片的操作流程为：将KOH溶液与异丙酮充分混合获得刻蚀液，在70～80℃条件下刻蚀处理硅片40min～60min。

3.根据权利要求2所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的KOH溶液的pH值为13-14，刻蚀液中异丙酮体积含量为25％。

4.根据权利要求1所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤三中在光刻后的硅片上电镀聚吡咯薄膜的具体操作过程为：采用恒电流模式，将吡咯和对甲苯磺酸混合物溶于50mL去离子水中作为电镀液，以与硅片尺寸相同的碳片作为对电极。

5.根据权利要求4所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的吡咯和对甲苯磺酸的摩尔比为(0.5～1)：2，电镀时电流密度为0.4mA/cm²～0.7mA/cm²，电镀液在电镀时置于0℃条件下，电镀时间为20min～30min。

6.根据权利要求5所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的吡咯和对甲苯磺酸的摩尔比为1:2，电镀时电流密度为0.5mA/cm²，电镀时间为20min。

7.根据权利要求1所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤四中采用循环伏安法在聚吡咯薄膜上合成聚吡咯微米棒的具体操作过程为：在电化学电解液中，采用Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，在-0.2V～1V电压下以20mV/s循环10～20圈。

8.根据权利要求7所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的电化学电解液含有0.42g吡咯单体，0.054g对甲苯磺酸和30mlPBS溶液，其中PBS溶液的pH至为6.86。

9.根据权利要求1所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的步骤六中采用盖印法将制备完成的电极转移至PDMS基聚合物基底的具体操作过程为：在PDMS基聚合物薄膜表面涂一层半固化PDMS，采用预拉伸动作将PDMS基聚合物薄膜基底拉伸，然后将制备完成的电极扣在PDMS基聚合物薄膜基底上，解除PDMS基聚合物薄膜基底的拉伸，获得植入式神经电极。

10.根据权利要求1所述的一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，所述的硅片为P型单晶硅。