[发明专利]基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的有机电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号: | 202010750325.7 | 申请日: | 2020-07-30 |
| 公开(公告)号: | CN111952466A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
| 发明(设计)人: | 钟建;刘泽宇;贾晓伟;刘洁尘;李娜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 杨保刚 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的有机电致发光器件及其制备方法,涉及有机电致发光技术领域,本发明包括玻璃基板,所述玻璃基板上镀有半反射导电电极层,所述半反射导电电极层上自下而上依次蒸镀有空穴注入层、掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层,电子传输层及发光层、金属电极层;本发明具有能够通过控制外部温度控制有机电致发光器件波长的功能,且制备方法简单高效,适用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 反钙钛矿 材料 热膨胀 效应 调节 发光 波长 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010750325.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





