[发明专利]基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的有机电致发光器件，包括玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上镀有半反射导电电极层，所述半反射导电电极层上自下而上依次蒸镀有空穴注入层、掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层，电子传输层及发光层、金属电极层。

2.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件，其特征在于，所述半反射导电电极层的材质为具有导电功能和反射性的金属材料，半反射导电电极层的材质为金、银、铜、铝或钼的任意一种，半反射导电电极层的厚度均为2～30nm。

3.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为MnO₃、PEDOT:PSS、CuSCN、CuI或NiO_m(m＝2或4)中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层的材质为NBP、CuSCN、CuI和NiO_m(m＝2或4)中的任意一种，掺杂的反钙钛矿结构材料为Mn₃Zn_0.5Sn_0.5N、Mn₃Cu0.5Ge_0.5N、Mn₃(Zn_0.6Sn_0.4)(N_0.85C_0.15)、Ga_1-xN_0.8Mn_3+x(0＜Z≤0.3)的一种或多种，掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层的厚度为30nm～70nm。

5.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层及发光层的材料为Alq₃，电子传输层及发光层的厚度为40nm～80nm。

6.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件，其特征在于，所述金属电极层的材质为具有导电功能和反射性的金属材料金、银、铜、钼的任意一种，金属电极层的厚度为50～150nm。

7.根据权利要求1所述的基于反钙钛矿材料负热膨胀效应调节发光波长的微腔结构有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、清洗玻璃基板；

步骤2、在玻璃基板上蒸镀一层半反射导电电极层；

步骤3、在半反射导电电极层上蒸镀一层空穴注入层；

步骤4、在空穴注入层上蒸镀一层掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层，退火备用；

步骤5、在掺杂反钙钛矿结构材料的空穴传输层上蒸镀一层电子传输层及发光层；

步骤6、在空穴注入层上蒸镀一层金属电极层。