[发明专利]一种光学辅助感应加热自坩埚单晶生长装置及应用在审
| 申请号： | 202010731394.3 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111962143A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 贾志泰;穆文祥;陶绪堂 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光学辅助感应加热自坩埚单晶生长装置及应用，采用通循环水的分立铜管组合成自坩埚，采用高功率的光学热源加热形成液池，实现熔体可控、洁净启熔。选取电阻加热或者光学热源加热形成后热温区实现晶体生长温度梯度控制，利用提拉法、导模法等传统晶体生长技术进行单晶可控高效生长。本发明避免了采用贵金属坩埚作为晶体生长容器，有效克服了贵金属损耗，降低了晶体生长成本。可在各种气氛下进行晶体生长，有利于晶体质量的提升及物理性能的调控。克服了单纯光学浮区法中需要表面张力维持固液界面，难以生长大尺寸晶体的问题。采用光学加热，实现原料的启熔，避免了采用石墨棒、金属棒等启熔带来的杂质污染及包裹体等缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 辅助 感应 加热 坩埚 生长 装置 应用 | ||
【主权项】：
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