[发明专利]一种双向大通流低残压TVS器件在审
| 申请号： | 202010731197.1 | 申请日： | 2020-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN111863940A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张啸;赵德益;李亚文;赵志方;蒋骞苑;王允;吕海凤;霍田佳 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向大通流低残压TVS器件，包括P型掺杂类型的外延片和N型衬底片、隔离trench，N+多晶poly槽，本发明提出的新型的TVS器件是双向器件，在大幅提升了击穿方向的峰值电流IPP同时降低了钳位电压，使得被保护器件完全处于安全区内，而且可以通过调节隔离trench的深度，可以实现不同的BV击穿电压。隔离trench的使用可以使得N+poly结之间的距离维持在1‑1.2um，但是又不容易发生穿通击穿，N+多晶poly槽实现了在同等面积条件下，N+结的有效面积可以最大化，大幅度提高了TVS的浪涌能力，所获得的TVS器件具有大功率、体积小、集成度高、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 通流 低残压 tvs 器件 | ||
【主权项】：
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