[发明专利]硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法有效
| 申请号： | 202010723818.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834211B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 白杨;王路闯;陶武松;郭志球 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于光伏技术领域，提供了一种硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法，包括：采用激光束对硅片待裂片部位的内部快速加热，采用流体束对硅片待裂片部位的表面快速冷却，使硅片在压应力和拉应力的作用下发生裂片，对硅片的至少一部分表面进行等离子体刻蚀。本发明的方法将应力裂片和等离子体刻蚀联合应用于硅片的预处理中，可显著改善对硅片的切割损伤，使硅片断面均匀，无毛刺或裂纹，硅片的破片率明显下降，并显著减少叠焊太阳能组件的纹路隐裂数量。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 预处理 方法 太阳能 组件 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
