[发明专利]硅片的预处理方法及叠焊太阳能组件的制备方法有效
| 申请号： | 202010723818.1 | 申请日： | 2020-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN111834211B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 白杨;王路闯;陶武松;郭志球 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 预处理 方法 太阳能 组件 制备 | ||
1.一种硅片的预处理方法，其特征在于，依次包括：
采用激光束对硅片待裂片部位的内部快速加热，以使所述硅片待裂片部位的内部膨胀形成压应力；
采用流体束对硅片待裂片部位的表面快速冷却，以使所述硅片待裂片部位的表面收缩形成拉应力；
所述硅片在所述压应力和所述拉应力的作用下发生裂片；
将硅片的至少一部分表面暴露于等离子体中，对所述硅片的至少一部分表面进行等离子体刻蚀，其中，所述硅片的至少一部分表面包括硅片发生裂片部位的表面；
其中，所述采用激光束对硅片待裂片部位的内部快速加热的步骤依次包括：采用波长为320～400nm、功率为3～5W的紫外激光束对所述硅片待裂片部位的内部快速加热；采用波长为1060～1100nm、功率为100～150W的红外激光束对所述硅片待裂片部位的内部快速加热；
所述硅片待裂片部位的内部与所述硅片待裂片部位的表面之间的距离为1～3mm。
2.根据权利要求1所述的硅片的预处理方法，其特征在于，所述采用流体束对硅片待裂片部位的表面快速冷却的步骤中，所述流体束选自液态水、液态二氧化碳、液态氢、液氮、低温惰性气体、低温二氧化碳气体、低温氢气、低温氮气中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的硅片的预处理方法，其特征在于，所述流体束的温度为20～30℃。
4.根据权利要求1所述的硅片的预处理方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀步骤在等离子体刻蚀机中进行。
5.根据权利要求4所述的硅片的预处理方法，其特征在于，形成所述等离子体的气体至少包含CF4和O2，所述CF4的流量为100～120sccm/min，所述O2的流量为10～15sccm/min。
6.根据权利要求5所述的硅片的预处理方法，其特征在于，激发所述等离子体的高频辉光的压力为300～350Pa，功率为100～120W。
7.根据权利要求6所述的硅片的预处理方法，其特征在于，开启所述高频辉光的时间为10～18分钟。
8.根据权利要求7所述的硅片的预处理方法，其特征在于，开启所述高频辉光的时间为14分钟。
9.一种叠焊太阳能组件的制备方法，其特征在于，包括：
根据权利要求1至8中任一项所述的方法对硅片进行预处理，将预处理后的硅片采用叠焊技术制备成太阳能组件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
