[发明专利]离子注入装置及离子注入方法在审
| 申请号： | 202010715903.3 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN112349573A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 石桥和久 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/317 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种离子注入装置及离子注入方法。控制装置保持多个注入处方，多个注入处方中的每一个包含晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在晶片处理面内在第2方向上不同的多个位置上的第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将二维不均匀剂量分布与多个校正函数建立对应关联的相关信息。控制装置在新获取了二维不均匀剂量分布的目标值时，从多个注入处方中确定包含与目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。控制装置根据所确定的注入处方中所包含的多个校正函数及相关信息来改变第1方向的射束扫描速度及第2方向的晶片扫描速度，并向晶片处理面注入与目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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