[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

射束生成装置，生成离子束；

射束扫描仪，使所述离子束沿第1方向往复扫描；

压板驱动装置，一边保持晶片以使所述往复扫描的离子束照射到晶片处理面，一边使所述晶片沿与所述第1方向正交的第2方向往复扫描；及

控制装置，根据在所述晶片处理面内照射所述离子束的所述第1方向及所述第2方向的射束照射位置来改变所述第1方向的射束扫描速度及所述第2方向的晶片扫描速度，以使所期望的二维不均匀剂量分布的离子注入到所述晶片处理面，

所述控制装置保持多个注入处方，所述多个注入处方中的每一个包含所述晶片处理面内的二维不均匀剂量分布、根据在所述晶片处理面内在所述第2方向上不同的多个位置上的所述第1方向的多个一维剂量分布而规定的多个校正函数及将所述二维不均匀剂量分布与所述多个校正函数建立对应关联的相关信息，

所述控制装置在新获取了所述二维不均匀剂量分布的目标值时，从所述多个注入处方中确定包含与所述目标值相似的所述二维不均匀剂量分布的注入处方，

所述控制装置根据所述所确定的注入处方中所包含的所述多个校正函数及所述相关信息来改变所述第1方向的射束扫描速度及所述第2方向的晶片扫描速度，并向所述晶片处理面注入与所述目标值相似的二维不均匀剂量分布的离子。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

根据将所述晶片处理面内的多个格点的位置与剂量建立对应关联的数据来定义所述多个注入处方中的每一个中所包含的所述二维不均匀剂量分布，

所述控制装置对所述多个格点中的每一个的剂量进行比较来评价所述二维不均匀剂量分布的相似性。

3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置根据所述多个格点的剂量之差的标准偏差来评价所述相似性。

4.根据权利要求2或3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置将所述二维不均匀剂量分布的所述目标值转换为将所述多个格点的位置与剂量建立对应关联的数据，并评价所述二维不均匀剂量分布的相似性。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个注入处方中的每一个还包含规定所述离子束的离子种类、能量、射束电流及射束尺寸的射束条件，

所述控制装置获取所述二维不均匀剂量分布的所述目标值以及所述射束条件的至少一部分，并从所述多个注入处方中的与所述所获取的至少一部分射束条件相对应的注入处方中确定包含与所述目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个注入处方中的每一个还包含规定所述离子束的离子种类、能量、射束电流及射束尺寸的射束条件，

所述控制装置根据所述二维不均匀剂量分布的所述目标值来决定所述射束条件的至少一部分，并从所述多个注入处方中的与所述所决定的至少一部分射束条件相对应的注入处方中确定包含与所述目标值相似的二维不均匀剂量分布的注入处方。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置还具备：射束测定装置，其在离子注入时在所述晶片处理面所在的注入位置上能够测定所述离子束的所述第1方向的射束电流密度分布，

所述控制装置在向所述晶片处理面注入离子之前确认根据所述所确定的注入处方中所包含的所述多个校正函数中的每一个使所述离子束往复扫描时由所述射束测定装置测定的多个射束电流密度分布是否为与所述二维不均匀剂量分布的所述目标值相似的形状。