[发明专利]一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路在审
| 申请号： | 202010708406.0 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111835316A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 李志荣 | 申请（专利权）人： | 广东奥普特科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/015 | 分类号： | H03K3/015;H03K3/014;H03K3/353 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达;王滔 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，包括第一MOS管、三极管、第一电阻、二极管、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，第一MOS管的栅极分别与三极管的发射极和第一恒流开关模块连接，第一MOS管的漏极连接有电路输出端，第一MOS管的源极分别连接电路的输入端和三极管的集电极，二极管设置在三极管的发射极和基极之间，三极管的基极分别连接二极管的负极和第二恒流开关模块，第一电阻的一端与电路输入端连接，第一电阻的另一端与三极的基极连接，第一恒流开关模块和第二恒流开关模块均与触发源连接。本发明能够自适应不同的输入电压，拓宽了输入电压的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 输入 电压 沟道 mos 驱动 电路 | ||
【主权项】：
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