[发明专利]一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路

说明书

本发明公开一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，包括第一MOS管、三极管、第一电阻、二极管、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，第一MOS管的栅极分别与三极管的发射极和第一恒流开关模块连接，第一MOS管的漏极连接有电路输出端，第一MOS管的源极分别连接电路的输入端和三极管的集电极，二极管设置在三极管的发射极和基极之间，三极管的基极分别连接二极管的负极和第二恒流开关模块，第一电阻的一端与电路输入端连接，第一电阻的另一端与三极的基极连接，第一恒流开关模块和第二恒流开关模块均与触发源连接。本发明能够自适应不同的输入电压，拓宽了输入电压的范围。

技术领域

本发明属于电池生产制造的技术领域，具体涉及一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路。

背景技术

P沟道MOS管是常用的开关器件，P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

但是发明人发现现有方案至少还存在以下缺陷：由于P沟道MOS管的栅极和源极电压特性，驱动电路需提供与P沟道MOS管的源极电压相当的驱动电压才能关闭P沟道MOS管，导致输入电压发生改变时，驱动电压也要相应也发生改变，限制了P沟道MOS管的使用范围。

发明内容

本发明的目的在于：针对现有技术的不足，提供一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，解决P沟道MOS管的驱动电压需要跟随输入电压变化问题，使驱动电路可以自适应不同的输入电压，拓宽了输入电压的范围。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，包括第一MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、二极管D1、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，所述第一MOS管Q1的栅极分别与所述三极管Q2的发射极和第一恒流开关模块连接，所述第一MOS管Q1的漏极连接有电路输出端，所述第一MOS管Q1的源极分别连接电路的输入端和所述三极管Q2的集电极，所述二极管D1设置在所述三极管Q2的发射极和基极之间，所述三极管Q2的基极分别连接所述二极管D1的负极和所述第二恒流开关模块，所述第一电阻R1的一端与所述电路输入端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述第一恒流开关模块和所述第二恒流开关模块均与所述触发源连接。

作为本发明所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路的一种改进，所述二极管D1的正极分别连接所述第一MOS管Q1的栅极、所述三极管Q2的发射极及所述第一恒流开关模块，所述二极管D1的负极分别连接所述第一电阻R1、所述三极管Q2的发射极及第二恒流开关模块。

作为本发明所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路的一种改进，所述第一恒流开关模块包括依次连接的第二电阻R2、第一恒流二极管D2及第二MOS管Q3。

作为本发明所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路的一种改进，所述第二恒流开关模块包括依次连接的第三电阻R3、第二恒流二极管D3及第三MOS管Q4。

作为本发明所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路的一种改进，所述第二MOS管Q3的栅极和第三MOS管Q4的栅极相连，所述第二MOS管Q3的源极和第三MOS管Q4的源极均接地，所述第二MOS管Q3的漏极和第三MOS管Q4的漏极分别连接所述第一恒流二极管D2和第二恒流二极管D3。

作为本发明所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路的一种改进，所述第二电阻R2的一端连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述第二电阻R2的另一端连接所述第一恒流二极管D2。