[发明专利]一种改善硅片边缘翘曲的方法有效
| 申请号： | 202010698929.1 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111872780B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;丁晓建 | 申请（专利权）人： | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B37/08 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 陆叶 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域。一种改善硅片边缘翘曲的方法，其特征在于，对切片后的硅片依次进行如下研磨步骤：步骤一，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行一次倒角直径研削，一次倒角直径研削量为A,A为230μm‑270μm；步骤二，通过宽幅砂轮进行一次双面研磨,一次双面研磨的宽幅去除量为B，B为28μm‑32μm；步骤三，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行二次倒角直径研削，二次倒角直径研削量为C,C为730μm‑770μm；步骤四，通过宽幅砂轮进行二次双面研磨，二次双面研磨的宽幅去除量为D,D为33μm‑37μm；A+C＝1000μm,B+D＝65μm。采用上述研磨步骤之后，有效的改善了硅片边缘翘曲引起的宽幅问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 边缘 方法 | ||
【主权项】：
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