[发明专利]一种改善硅片边缘翘曲的方法

说明书

本发明涉及半导体领域。一种改善硅片边缘翘曲的方法，其特征在于，对切片后的硅片依次进行如下研磨步骤：步骤一，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行一次倒角直径研削，一次倒角直径研削量为A,A为230μm‑270μm；步骤二，通过宽幅砂轮进行一次双面研磨,一次双面研磨的宽幅去除量为B，B为28μm‑32μm；步骤三，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行二次倒角直径研削，二次倒角直径研削量为C,C为730μm‑770μm；步骤四，通过宽幅砂轮进行二次双面研磨，二次双面研磨的宽幅去除量为D,D为33μm‑37μm；A+C＝1000μm,B+D＝65μm。采用上述研磨步骤之后，有效的改善了硅片边缘翘曲引起的宽幅问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及硅片的研磨方法。

背景技术

切片翘曲偏大位置主要集中在钢线切入点以及切出点附近。根据以往经验以及目前现有的线切割水平，边缘翘曲很难得到进一步有效改善。

传统的硅片倒角加工方式为金属砂轮直接进行直径研削，去除量在1000um左右，将直径研削到规范要求。按照此传统加工方式进行倒角，边缘翘曲不良率较高，因为边缘翘曲会导致在进行倒角时翘曲点宽幅差异较大。而宽幅对于客户要求而言是一个极为重要的参数指标与硬性要求，客户一般对同一面宽幅不能超过40um，同一位置正反面宽幅不能超过100um，然而传统倒角加工方式同一位置正反面的宽幅要超过150um以上，尤其是切入点与切出点的翘曲，宽幅要超过200um以上而导致报废。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种改善硅片边缘翘曲的方法，以解决上述至少一个技术问题。

本发明的技术方案是：一种改善硅片边缘翘曲的方法，其特征在于，对切片后的硅片依次进行如下研磨步骤：

步骤一，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行一次倒角直径研削，一次倒角直径研削量为A,A为230μm-270μm；

步骤二，通过宽幅砂轮进行一次双面研磨,一次双面研磨的宽幅去除量为B，B为28μm-32μm；

步骤三，通过倒角砂轮磨削硅片边缘，进行二次倒角直径研削，二次倒角直径研削量为C,C为730μm-770μm；

步骤四，通过宽幅砂轮进行二次双面研磨，二次双面研磨的宽幅去除量为D,D为33μm-37μm；

A+C＝1000μm,B+D＝65μm。

采用上述研磨步骤之后，有效的改善了硅片边缘翘曲引起的宽幅问题。采用不同的研磨方式对宽幅确认，发现上述范围对边缘翘曲改善效果最为明显，切入点、切出点位置宽幅差值可以做到在100um以内。

优选地，A为250μm，B为30μm，C为750μm，D为25μm。

采用该组数据，切入点、切出点位置宽幅差值可以做到在80um以内。

优选地，A为230μm，B为28μm，C为770μm，D为27μm。

采用该组数据，切入点、切出点位置宽幅差值可以做到在95um以内。

A为270μm，B为32μm，C为730μm，D为22μm。

采用该组数据，切入点、切出点位置宽幅差值可以做到在95um以内。

进一步优选地，研磨后，采用倒角轮廓仪测量硅片尺寸参数，硅片尺寸参数包括硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度。

便于获知研磨后的硅片边缘翘曲情况，实现硅片的抽检。