[发明专利]一种盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202010696268.9 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112649483A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 申贵隽;杜宇;丁利葳;季杨杨 | 申请（专利权）人： | 大连金普新区诚泽职业培训学校有限公司;大连诚泽检测有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30;G01N27/48 |
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| 地址： | 116630 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： |
该发明以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗（CLB）为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂，在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中，采用循环伏安（CV）法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后，使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜，即CLB分子印迹电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明，在5mol·L |
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| 搜索关键词： | 一种 盐酸 克伦特罗 分子 印迹 聚邻苯二胺 修饰 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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