[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010685897.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111710722B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种横向双扩散晶体管及其制造方法，该横向双扩散晶体管包括衬底；漂移区，位于所述衬底顶部；漏区和体区，分别位于所述漂移区顶部的相对两侧；源区和体接触区，均位于所述体区内部，且相互邻接；以及介质层和场板层，依次层叠在所述漂移区的表面；所述体区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成至少一个体区延伸区，所述体区延伸区和与之邻接的所述漂移区呈交叉指状分布；所述体接触区位于所述体区内远离所述漏区的一侧，且所述体接触区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成体接触区延伸区。该横向双扩散晶体交叉指状体区和锯齿状体接触区，在增加了器件的沟道密度，减小了导通电阻的同时可以有效地减小体区电阻，防止寄生的NPN误开启。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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