[发明专利]横向双扩散晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010685897.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111710722B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种横向双扩散晶体管，其中，包括：
衬底；
漂移区，位于所述衬底顶部；
漏区和体区，分别位于所述漂移区顶部的相对两侧；
源区和体接触区，均位于所述体区内部，且相互邻接；以及
介质层和场板层，依次层叠在所述漂移区的表面；
其中，所述体区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成至少一个体区延伸区，所述体区延伸区和与之邻接的所述漂移区呈交叉指状分布；
所述源区与所述体区沿相同方向延伸，形成至少一个源区延伸区，所述源区延伸区位于所述体区延伸区内部，且一一对应，
所述体接触区位于所述体区内远离所述漏区的一侧，且所述体接触区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成体接触区延伸区，所述体接触区和所述体接触区延伸区在所述源区内呈锯齿状分布。
2.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，每个所述源区延伸区内部均对应一个所述体接触区延伸区。
3.根据权利要求2所述的横向双扩散晶体管，其中，锯齿状的所述体接触区延伸区和所述体接触区的齿尖均朝向所述漏区。
4.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，所述体区朝向所述漏区的一侧呈方波状，所述源区朝向所述漏区的一侧呈方波状。
5.根据权利要求1所述的横向双扩散晶体管，其中，所述介质层包括位于所述漂移区表面的场氧化层和与所述场氧化层邻接的覆盖所述体区的栅氧化层，所述场板层覆盖所述介质层。
6.根据权利要求5所述的横向双扩散晶体管，其中，所述栅氧化层朝向所述源区的一侧的边缘与所述源区朝向所述漏区一侧的边缘的形状相匹配，所述场板层的形状跟随所述介质层的形状。
7.根据权利要求6所述的横向双扩散晶体管，其中，所述栅氧化层上方的所述场板层朝向所述源区的一侧的形状与所述源区的形状相匹配，所述场氧化层上方的所述场板层朝向所述源区一侧的形状与所述栅氧化层上方的所述场板层朝向所述源区一侧的形状一致。
8.根据权利要求7所述的横向双扩散晶体管，其中，所述场氧化层和位于其上方的所述场板层朝向所述漏区的一侧形成有凹口。
9.根据权利要求1-8任一项所述的横向双扩散晶体管，其中，所述体区和所述体接触区为第一类型掺杂，所述源区、所述漏区和所述漂移区为第二类型掺杂。
10.一种横向双扩散晶体管的制造方法，其中，包括：
提供衬底；
在所述衬底顶部形成漂移区和体区；
在所述漂移区表面形成介质层和场板层；
在所述漂移区中形成漏区和源区，所述源区，体接触区位于所述体区中；
其中，所述体区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成至少一个体区延伸区，所述体区延伸区和与之邻接的所述漂移区呈交叉指状分布；
所述源区与所述体区沿相同方向延伸，形成至少一个源区延伸区，所述源区延伸区位于所述体区延伸区内部，且一一对应，
所述体接触区位于所述体区内远离所述漏区的一侧，且所述体接触区部分向所述漏区所在的方向延伸，形成体接触区延伸区，所述体接触区和所述体接触区延伸区在所述源区内呈锯齿状分布。
11.根据权利要求10所述的横向双扩散晶体管的制造方法，其中，所述体区和所述体接触区为第一类型掺杂，所述源区、所述漏区和所述漂移区为第二类型掺杂。
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