[发明专利]发射区多晶硅的形成方法及器件在审
| 申请号： | 202010685512.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883428A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰;陈曦;史稼峰;孔蔚然;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L21/324;H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种发射区多晶硅的形成方法及器件，该方法包括：提供一衬底,衬底中形成有集电区，集电区中形成有环绕的隔离层，集电区上形成有基区，基区上形成有环绕设置的第一介质层；在第一介质层和基区的表面沉积形成第一多晶硅层，第一多晶硅层包括第一类型离子掺杂的多晶硅；沉积形成第二多晶硅层，第二多晶硅层填充第一介质层环绕形成的发射区窗口；对第二多晶硅层进行离子注入，注入的离子包括第一类型离子；对第一多晶硅层和第二多晶硅层进行退火处理，形成发射区多晶硅。本申请能够降低了形成得到的发射区多晶硅中出现缝隙的几率，提高了器件的稳定性和制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 多晶 形成 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
