[发明专利]发射区多晶硅的形成方法及器件

权利要求书

1.一种发射区多晶硅的形成方法，其特征在于，所述方法应用于HBT器件的制造过程中，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有集电区，所述集电区中形成有环绕的隔离层，所述集电区上形成有基区，所述基区上形成有环绕设置的第一介质层；

在所述第一介质层和所述基区的表面沉积形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括第一类型离子掺杂的多晶硅；

沉积形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充所述第一介质层环绕形成的发射区窗口；

对所述第二多晶硅层进行离子注入，注入的离子包括所述第一类型离子；

对所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层进行退火处理，形成发射区多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二多晶硅层进行离子注入的注入深度为100纳米至200纳米。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述第二多晶硅层进行离子注入的能量为50千电子伏特至100千电子伏特。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为50纳米至200纳米。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为100纳米至200纳米。

6.一种HBT器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有集电区，所述集电区中形成有环绕的隔离层；

基区，所述基区形成于所述衬底上，所述基区的底端与所述集电区接触；

第一介质层，所述第一介质层环绕形成于所述基区上；

发射区多晶硅，所述发射区多晶硅形成于所述第一介质层上且填充所述第一介质层环绕形成的发射区窗口，所述发射区多晶硅是在所述发射区窗口形成后，依次沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层，对所述第二多晶硅层进行离子注入后，对所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层进行退火处理形成的；

其中，所述第一多晶硅层包括第一类型离子掺杂的多晶硅，对所述第二多晶硅层注入的离子包括所述第一类型离子。

7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述基区包括锗硅外延层，所述锗硅外延层掺杂有第二类型离子。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述衬底中还形成有埋层，所述埋层形成于所述集电区下方且与所述集电区接触。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述集电区底部形成有重掺杂区，所述重掺杂区与所述埋层接触，所述重掺杂区掺杂有所述第一类型离子。

10.根据权利要求6至9任一所述的器件，其特征在于，所述隔离层上形成有第二介质层，所述第二介质层的底端与所述隔离层接触，所述第二介质层的顶端与所述基区接触。