[发明专利]HBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010685505.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883427A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰;陈曦;史稼峰;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种HBT器件的制造方法及器件，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有集电区，集电区中形成有环绕的隔离层，集电区上形成有基区，基区上方形成有环绕的第一介质层；沉积形成第一多晶硅层，第一多晶硅层填充第一介质层环绕形成的发射区窗口，第一多晶硅层的厚度为50纳米至300纳米；对第一多晶硅层进行刻蚀；对刻蚀后的第一多晶硅层进行退火处理，形成发射区多晶硅。本申请通过在HBT器件的发射区窗口形成后，沉积形成50纳米以上的厚的第一多晶硅层，从而使第一多晶硅层充满发射区窗口解决了由于多晶硅层较薄所导致的在发射区窗口处形成缝隙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
