[发明专利]HBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010685505.1 | 申请日： | 2020-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN111883427A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 黄景丰;陈曦;史稼峰;李冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/737 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | hbt 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种HBT器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底中形成有集电区，所述集电区中形成有环绕的隔离层，所述集电区上形成有基区，所述基区上方形成有环绕的第一介质层；
沉积形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层填充所述第一介质层环绕形成的发射区窗口，所述第一多晶硅层的厚度为50纳米至300纳米；
对所述第一多晶硅层进行刻蚀；
对刻蚀后的所述第一多晶硅层进行退火处理，形成发射区多晶硅。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述对所述刻蚀后的第一多晶硅层进行退火处理，包括：
通过脉冲退火工艺对所述刻蚀后的第一多晶硅层进行退火处理。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理的温度为800摄氏度至1300摄氏度。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述退火处理的峰值时间小于10秒。
5.一种HBT器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有集电区，所述集电区中形成有环绕的隔离层；
基区，所述基区形成于所述衬底上，所述基区的底端与所述集电区接触；
第一介质层，所述第一介质层环绕形成于所述基区上方；
发射区多晶硅，所述发射区多晶硅形成于所述第一介质层上且填充所述第一介质层环绕形成的发射区窗口，所述发射区多晶硅是在所述发射区窗口形成后，沉积形成厚度为50纳米至300纳米的第一多晶硅层后，对所述第一多晶硅层依次进行刻蚀和退火处理形成的。
6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述发射区多晶硅掺杂有第一类型离子。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述基区包括锗硅外延层，所述锗硅外延层掺杂有第二类型离子。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述衬底中还形成有埋层，所述埋层形成于所述集电区下方且与所述集电区接触。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述集电区底部形成有重掺杂区，所述重掺杂区与所述埋层接触，所述重掺杂区掺杂有所述第一类型离子。
10.根据权利要求5至9任一所述的器件，其特征在于，所述隔离层上形成有第二介质层，所述第二介质层的底端与所述隔离层接触，所述第二介质层的顶端与所述基区接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010685505.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：槟榔咀嚼片及其制备方法
- 下一篇：发射区多晶硅的形成方法及器件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
