[发明专利]一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法有效
| 申请号： | 202010663163.3 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111816731B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 欧文凯 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源科技（徐州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/225;H01L21/268 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博;卓彩霞 |
| 地址： | 221399 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法，包括：在N型抛光后的硅片的背面生长本征的氢化非晶硅层；在氢化非晶硅层上印刷硼浆，烘干；在氢化非晶硅层上印刷磷浆，烘干；将印刷好的硅片放入激光器中进行激光实现掺杂，得到P区及N区需要达到的方阻值；给电池片表面镀上掩膜作为抛光阻挡层；用激光切割P区和N区之间的位置，去除中间的掩膜。本发明的方法能够保证背面掺杂非晶硅的均匀性及生长速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 hbc 电池 背面 掺杂 非晶硅 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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