[发明专利]一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法

权利要求书

1.一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)在N型抛光后的硅片的背面生长本征的氢化非晶硅层；

(2)在步骤(1)得到的氢化非晶硅层上印刷硼浆，烘干；

(3)在步骤(2)得到的氢化非晶硅层上印刷磷浆，烘干；

(4)将步骤(3)得到的印刷好的硅片放入激光器中进行激光实现掺杂，得到P区及N区需要达到的方阻值；

(5)采用APCVD方式给电池片表面镀上掩膜作为抛光阻挡层；

(6)用激光切割P区和N区之间的位置，去除中间的掩膜；

(7)用KOH溶液对步骤(6)得到的硅片进行抛光形成P区、N区之间的隔离；并用HF去除掩膜；

本征的氢化非晶硅层厚度为100-150nm，其中1-15nm作为背表面的钝化层，其余的作为掺杂非晶硅层；

步骤(5)中，镀上掩膜的过程中，沉积温度为300℃，氧气与硅烷的流量比为3：1，以氮气作为稀释气体；掩膜厚度为80-100nm；

步骤(4)中，激光功率为20-35W，激光波长为530nm；

步骤(6)中，激光功率为35W，激光波长为530nm；

通过印刷硼浆及磷浆的方法实现了PN区的直接分离；

步骤(7)中，KOH溶液中，KOH/H₂O的质量比为千分之八。