[发明专利]一种离子束制备氮掺杂石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202010659305.9 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111620327A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 谢珈璐 | 申请（专利权）人： | 广州珈鹏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;H01M4/587;H01M10/04;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 深圳龙图腾专利代理有限公司 44541 | 代理人： | 姜书新 |
| 地址： | 511458 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种离子束制备氮掺杂石墨烯的方法，以改进的Hummers法制备氧化石墨烯，用离子束在NH3气氛下进行N+离子辐照，制备氮掺杂石墨烯。本发明所制备的氮掺杂石墨烯可以获得以下有益效果：由于其具有少层(1‑3层)的、低O/C比的特点，显示出良好的导电性，氮掺杂成功率高于传统的CVD法。本发明成功地将离子束处理的高效离子注入、真空、清洁无污染的技术特点加以应用，使得氧化石墨烯经过离子束处理之后成为具有优异电化学性能的氮掺杂石墨烯，以其为原料制备出锂离子负极材料，应用于锂离子电池中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 制备 掺杂 石墨 方法 | ||
【主权项】：
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