[发明专利]一种供气装置及等离子体增强型化学气相沉积机台在审
| 申请号: | 202010652322.X | 申请日: | 2020-07-08 |
| 公开(公告)号: | CN111593328A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 吴堃;杨猛 | 申请(专利权)人: | 上海邦芯半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/505 |
| 代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 杨国瑞 |
| 地址: | 200000 上海市金*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,公开了一种供气装置及等离子体增强型化学气相沉积机台。通过本发明创造,提供了一种可应用在PECVD机台中的且用于工艺反应后清洗的新型供气装置及等离子体增强型化学气相沉积机台,即通过对PECVD机台上固有的射频系统进行功率切换改造,可使得沉积工艺和清洗工艺共用一套射频系统,节省一套远程离子源系统的成本,保证设备结构的简化,同时由于是采用线圈感应磁场的方式电离清洗气体,可保持与远程离子源的电离方式一致,使得获取的清洗气体具有能量低、密度高和方向性弱的特点,能够与化学反应的沉积工艺具有很好的适配性,最终可实现清洗效果好和对腔室内部零部件损伤小的目的。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 供气 装置 等离子体 增强 化学 沉积 机台 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





