[发明专利]一种供气装置及等离子体增强型化学气相沉积机台

权利要求书

1.一种供气装置，其特征在于：包括射频匹配器(1)、第一射频开关(21)、第二射频开关(22)、缓冲腔体(3)、匀气盘(4)、线圈(5)、电离腔体(6)、清洗气导入管(7)、沉积气导入管(8)和阀门(9)，其中，所述缓冲腔体(3)和所述匀气盘(4)分别采用导电体，所述电离腔体(6)采用绝缘体；

所述射频匹配器(1)的输出端分别电连接所述第一射频开关(21)的第一端和所述第二射频开关(22)的第一端；

所述第一射频开关(21)的第二端电连接所述缓冲腔体(3)，所述缓冲腔体(3)电连接所述匀气盘(4)，所述缓冲腔体(3)覆盖在所述匀气盘(4)上并与所述匀气盘(4)一起围成缓冲空腔(31)；

所述第二射频开关(22)的第二端电连接所述线圈(5)，所述线圈(5)套设在所述电离腔体(6)的外周上；

所述清洗气导入管(7)连通所述电离腔体(6)内的电离空腔(61)，所述沉积气导入管(8)连通所述缓冲空腔(31)，所述电离空腔(61)通过所述阀门(9)也连通所述缓冲空腔(31)。

2.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：还包括第一屏蔽罩(11)，其中，所述第一屏蔽罩(11)包覆所述第一射频开关(21)、所述第二射频开关(22)、所述缓冲腔体(3)和所述匀气盘(4)。

3.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：还包括第二屏蔽罩(12)，其中，所述第二屏蔽罩(12)包覆所述线圈(5)。

4.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：当所述第一射频开关(21)和所述第二射频开关(22)组合成单刀双掷射频开关时，所述射频匹配器(1)的输出端电连接所述单刀双掷射频开关的公共端，所述单刀双掷射频开关的第一切换端电连接所述缓冲腔体(3)，所述单刀双掷射频开关的第二切换端电连接所述线圈(5)。

5.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：所述射频匹配器(1)的输出端与所述第一射频开关(21)的第一端之间、所述射频匹配器(1)的输出端与所述第二射频开关(22)的第一端之间、所述第一射频开关(21)的第二端与所述缓冲腔体(3)之间和/或所述第二射频开关(22)的第二端与所述线圈(5)之间采用射频导电柱进行电连接。

6.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：所述阀门(9)采用二位三通切换阀，其中，所述二位三通切换阀的第一切换端连通所述电离空腔(61)，所述二位三通切换阀的第二切换端连通所述沉积气导入管(8)，所述二位三通切换阀的公共端连通所述缓冲空腔(31)。

7.如权利要求1所述的供气装置，其特征在于：所述阀门(9)采用电磁阀、气动阀或液动阀。

8.一种等离子体增强型化学气相沉积机台，其特征在于：包括机台本体和如权利要求1～7任意一项所述的供气装置，其中，所述机台本体包括反应腔体(100)和晶圆载台(200)，所述晶圆载台(200)位于所述反应腔体(100)内的反应空腔(101)中；

所述供气装置的匀气盘(4)嵌设在所述反应腔体(100)的腔盖(102)中，并位于所述晶圆载台(200)的正上方。

9.如权利要求8所述的等离子体增强型化学气相沉积机台，其特征在于：所述腔盖(102)通过绝缘环(300)与所述供气装置中的匀气盘(4)/和缓冲腔体(3)隔离。

10.如权利要求8所述的等离子体增强型化学气相沉积机台，其特征在于：还包括环形导气腔体(400)和抽气管(500)，其中，所述环形导气腔体(400)环向围绕所述反应空腔(101)设置；

所述环形导气腔体(400)内的导气空腔(401)通过竖直隔板与所述反应空腔(101)分隔，并在所述竖直隔板上设有若干通孔(402)，所述抽气管(500)依次通过所述导气空腔(401)和所述通孔(402)连通所述反应空腔(101)。