[发明专利]一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法

摘要

本发明公开了一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，所述方法包括如下步骤：将类单晶硅片进行机械损伤层处理，去除表面的油污、金属颗粒杂质；处理过的硅片进行表面制绒；将硅片进行高温退火处理；将处理后的硅片进行再清洗，用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质；处理后的硅片进行非晶硅镀膜；在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成异质结电池片的制作。本发明中将类单晶硅片进行高温处理，有利于将类单晶中晶粒位错进行重整，减少晶格缺陷，高温退火后的硅片进行本征非晶硅钝化，少子寿命最高可以提升10倍以上，可以延用传统异质结方式进行制备，降低了生产的硅片成本，提升竞争力。