[发明专利]一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法在审
| 申请号： | 202010651618.X | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921647A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林锦山;张超华;谢志刚;王树林;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0747 |
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| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种类 单晶硅 异质结 太阳能电池 制作方法 | ||
1.一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：
将类单晶硅片进行机械损伤层处理，去除表面的油污、金属颗粒杂质；
处理过的硅片进行表面制绒，降低表面光反射；
将硅片进行高温退火处理；
处理后的硅片进行再清洗，用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质；
将处理后的硅片进行非晶硅镀膜；
在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；
在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，完成异质结电池片的制作。
2.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述硅片进行表面制绒采用酸液或碱液制绒，绒面为正金字塔或倒金字塔，金字塔尺寸1-10nm。
3.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述高温退火处理在LPCVD炉或RTP炉中进行，炉管的压力为100pa-10000pa，在退火过程中通入O2、H2、NH3、H2O等含O，H的化合物，温度范围为600℃-1000℃，气体流量为50sccm-5000sccm，退火时间控制在10min-180min。
4.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述将处理后的硅片进行再清洗，用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质。
5.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述硅片进行非晶硅镀膜采用PECVD、Hot wire CVD、LPCVD等CVD设备中的一种。
6.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述透明导电膜层为ITO、AZO中的一种。
7.根据权利要求1所述一种类单晶硅异质结太阳能电池片的制作方法，其特征在于：所述栅线电极的形成采用印刷银浆或电镀铜方式。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
